客戶是做手機的廠商，開發(fā)基頻電路的設計部門負責設計手機搭載的時鐘電路。一般，時鐘電路是由音叉型振蕩器件以及實時時鐘IC所構(gòu)成。
　　用32.768K晶振的振蕩器件，輸入頻率信號給IC。IC內(nèi)部會建構(gòu)有分頻電路，連續(xù)除以二進行15回合，產(chǎn)生了1Hz的信號，做成1秒鐘。
　　問題的發(fā)生是手機廠商變更為更小型的晶振之后，發(fā)覺振蕩頻率變?yōu)?2.77075KHz(增加了84ppm)。因此，每一天約超前了7.26秒。一個月下來就超前了3分半，大幅超越了該公司訂下的容許范圍。(該公司所訂的基準是每一個月常溫下必須維持1分鐘的誤差之內(nèi)。)
　　注：原本采用的振蕩器件尺寸7.0mm×1.5mm×1.4mm，換成了3.2min×1.5mm×0.8mm的小型器件，體積僅有原來的四分之一，可以省空間。
　　發(fā)生問題后，經(jīng)過內(nèi)部的討論一致認為問題該是出于振蕩器件的“負載電容”的差異。透過實際的測試之后，原來晶振負載為7pF，新品為12.5pF，卻是符合器件廠商的規(guī)格。
　　所謂的“負載容量”，通常是指器件發(fā)振時振蕩電路的負載容量。一般，當負載電容增大時，發(fā)振頻率跟著變低，這個關系曲線就稱為“頻率－負載容量特性”，每家振蕩器件多不太相同。這是因為振蕩器件的振動片設計與電極設計值不同的緣故。
　　注：發(fā)振電路的負載容量是由Cd與Cg兩個靜電容量以及寄生電容的合成容量。Cd與Cg若是過大，負載容量也會變大。
　　如果振蕩器件的負載容量與發(fā)振電路的負載容量不一致時，振蕩頻率會偏移。于是該客戶將原本Cd/Cg的電容值從6pF變更成18pF的電容器，發(fā)振電路的負載容量從7pF增加到12.5pF。雖然是配合了，可是卻衍生出另一個問題。那就是電路負性阻抗的絕對值100KΩ，充裕度不足(等效串接阻抗45KΩ～75KΩ)。1.3～2倍的發(fā)振充裕度，不太符合5～10倍以上的期望值。若是使用環(huán)境的溫度變遷大的場合，擔心不會振蕩。
　　經(jīng)過反復更替電路定數(shù)，依然不能解決問題。而且，振蕩器件的驅(qū)動電力激勵位階增大，又有機會破損振蕩器件的副作用。
　　在必須使用IC內(nèi)藏回授阻抗與Inverter的前提下，也唯有變換另一種振蕩器件。若是換回原來7pF的石英晶振，當然沒有問題。但是不能達成開發(fā)的目標。于是，與器件提供廠商長談之后，換了品名與外型一樣，然而負載電容僅有9pF的新品。從新設計發(fā)振電路之后，無論頻率偏移還是充裕度以及激勵位階都在適當?shù)姆秶鷥?nèi)。最終，解決了困擾廠商B的問題。
　　從這一個案例的克服，不難發(fā)覺振蕩器件的發(fā)振電路設計，其實是頻率偏差、發(fā)振充裕度、激勵位階等三個條件滿足的連立方程式作業(yè)，需要面面俱到。
　　另外實際的應用上，還需要考慮到溫度變化的因素。攝氏25度頻率偏差為零，當溫度無論是往上還是往下，發(fā)振頻率會滑落。因此，無妨將發(fā)振電路的負載容量做的比振蕩器件的負載容量小一點。